本书共七章，主要内容包括绪论、InAs／AlSb异质结外延材料特性及工艺、InAs／AlSb HEMTs器件特性及工艺、InAs／AlSb MOS-HEMTs基础研究、InAs／AlSb HEMTs器件模型、InAs／AlSb HEMTs低噪声放大器设计以及总结和展望。
本书可作为高等院校微电子、集成电路相关专业的专科生、本科生和研究生的辅助教材，也可供从事电子制造工作的人员阅读参考。

第一章 绪论
1.1 引言
1.2 InAs／AlSb HEMTs器件特点
1.3 InAs／AlSb HEMTs射频器件研究状况
1.4 对InAs／AlSb HEMTs的研究存在的问题
1.5 本书主要内容安排
第二章 InAs／AlSb异质结外延材料特性及工艺
2.1 异质结能带结构
2.2 InAs／AlSb异质结外延材料特性仿真
2.3 InAs／AlSb异质结外延材料生长
第三章 InAs／AlSb HEMTs器件特性及工艺
3.1 器件结构及工作原理
3.2 InAs／AlSb HEMTs器件特性及机理
3.3 InAs／AlSb HEMTs器件性能仿真
3.4 InAs／AlSb HEMTs制备工艺研究
3.5 测试结果分析
第四章 InAs／AlSb MOS-HEMTs基础研究
4.1 high-k／InAlAs MOS电容隔离栅
4.2 high-k／InAlAs MOS电容工艺及特性
4.3 InAs／AlSb MOS-HEMTs器件物理仿真
第五章 lnAs／AlSb ItEMTs器件模型
5.1 小信号等效电路模型理论
5.2 InAs／AlSb HEMTs器件小信号等效电路模型
5.3 InAs／AlSb HEMTs噪声模型
5.4 InAs／AlSb HEMTs器件碰撞离化效应模型表征
第六章 InAs／AlSb HlEMTs低噪声放大器设计
6.1 LNA关键指标
6.2 匹配理论
6.3 常见的LNA电路结构
6.4 Ku波段InAs／AlSb HEMTs LNA设计
第七章 总结和展望
7.1 总结
7.2 展望
参考文献