为了使相关读者更深入了解掌握微电子工艺技术的原理，本书前部分主要介绍了集成电路制备工艺中有关的物理、化学知识，第4章至第10章是全书重点，介绍了工艺过程、工艺设备以及IC制备中的新技术、新方法。全书共分10章，主要内容涉及半导体硅材料及化合物的化学性质，高纯水的制备，清洗技术，氧化、扩散、刻蚀、制版、外延、金属化处理、电子封装等主要工艺的原理等。

本书可作为高等院校相关专业的教材，也可作为教师和研究生的参考用书，同时也能供广大从事微电子相关领域的工程技术人员参考。

1 硅材料及硅化合物化学性质

1.1 硅单晶的化学性质

1.2 硅化合物的化学性质

1.3 高纯硅制备的化学原理

参考文献

2 微电子技术中的高纯水制备

2.1 天然水中的杂质

2.2 微电子技术工程用水

2.3 离子交换法制备纯水

2.4 电渗析法制备纯水的原理

2.5 反渗透法制备纯水的原理

参考文献

3 微电子技术中的化学清洗

3.1 晶片表面清洗的重要性

3.2 晶片清洗的基本理论和方法

3.3 颗粒吸附状态分析及优先吸附模型

3.4 表面活性剂在化学清洗中的应用 

3.5 硅片清洗的常用方法与技术

3.6 清洗工艺设备和安全操作

3.7 溶液清洗技术的现状和发展方向 

3.8 新型清洗技术

参考文献

4 氧化工艺技术

4.1 二氧化硅膜在器件中的作用 

4.2 二氧化硅的结构和性质

4.3 二氧化硅膜制备的化学原理

4.4 二氧化硅一硅界面的物理性质

4.5 二氧化硅玻璃中的杂质

4.6 杂质在二氧化硅中的扩散

4.7 二氧化硅膜质量的检验

参考文献

5 扩散工艺技术

5.1 扩散原理与模型

5.2 常用扩散杂质的化学性质

5.3 扩散分布的测量分析

参考文献

6 刻蚀工艺技术

6.1 湿法刻蚀

6.2 干法刻蚀

6.3 刻蚀技术新进展

参考文献

7 制版工艺技术

7.1 制版工艺过程

7.2 超微粒干版制备的化学原理

7.3 铬版制备技术

7.4 氧化铁版制备的化学原理

参考文献

8 外延生长技术

8.1 硅外延技术在IC发展中的作用

8.2 硅外延生长的化学原理

8.3 外延生长动力学

8.4 外延层中杂质浓度分布

8.5 硅烷热分解法外延与选择外延

8.6 外延层上的缺陷及检验

8.7 硅外延自掺杂效应及控制

8.8 硅外延片滑移线产生及消除技术

8.9 硅外延生长的工艺优化——反向补偿法

参考文献

9 金属化处理技术

9.1 化学气相沉积金属过程

9.2 物理气相沉积金属过程

9.3 电极制备

参考文献

10 电子封装技术

10.1 封装技术概述

10.2 陶瓷封装 

10.3 塑料封装 

10.4 封装的化学原理

参考文献