坎贝尔的这本《微纳尺度制造工程(第三版)》既包含了制造纳米尺度的主流CMOS集成电路所必须用到的各种基本的单项工艺，也包含了制造GaAs MESFET与MMIC、硅双极型晶体管与集成电路、各种薄膜器件以及Ⅲ-V族发光二极管、激光器、有机发光二极管(OLED)等多种光电子器件所需用到的各种基本工艺，还包括了用于制造几种不同类型的微机电系统(MEMS)的特殊工艺。新版本同时还补充、更新了大量的参考文献以及例题和习题。因此本书不仅可作为大学微电子及相关专业高年级本科生或一年级研究生的理想教材，而且也可以作为我国微电子产业广大工程技术人员的一本非常有参考价值的工艺技术手册。

坎贝尔的这本《微纳尺度制造工程(第三版)》是《微电子制造科学原理与工程技术》的第三版。《微纳尺度制造工程(第三版)》系统地介绍了微电子制造科学原理与工程技术，覆盖了集成电路制造所涉及的所有基本单项工艺，包括光刻、等离子体和反应离子刻蚀、离子注入、扩散、氧化、蒸发、气相外延生长、溅射和化学气相淀积等。对每一种单项工艺，不仅介绍了它的物理和化学原理，还描述了用于集成电路制造的工艺设备。本书新增加的内容包括原子层淀积、电镀铜、浸润式光刻、纳米压印与软光刻、薄膜器件、有机发光二极管以及应变技术在CMOS工艺中的应用等。

《微纳尺度制造工程(第三版)》可作为高等学校微电子专业本科生和研究生相应课程的教科书或参考书，也可供与集成电路制造工艺技术有关的专业技术人员学习参考。

第1篇 综述与题材

第1章 微电子制造引论

 1.1 微电子工艺：一个简单的实例

 1.2 单项工艺与工艺技术

 1.3 本课程教程

 1.4 小结

第2章 半导体衬底

 2.1 相图与固溶度°

 2.2 结晶学与晶体结构°

 2.3 晶体缺陷

 2.4 直拉法（Czochralski法）单晶生长

 2.5 Bridgman法生长GaAs

 2.6 区熔法单晶生长

 2.7 晶圆片制备和规格

 2.8 小结与未来发展趋势

 习题

 参考文献

第2篇 单项工艺1：热处理与离子注入

第3章 扩散

第4章 热氧化

第5章 离子注入

第6章 快速热处理

第3篇 单项工艺2：图形转移

第7章 光学光刻

第8章 光刻胶

第9章 非光学光刻技术+

第10章 真空科学与等离子体

第11章 刻蚀

第4篇 单项工艺3：薄膜及概述

第12章 物理淀积：蒸发和溅射

第13章 化学气相淀积

第14章 外延生长

第5篇 工艺集成概述

第15章 器件隔离、接触和金属化

第16章 CMOS技术

第17章 其他类型晶体管的工艺技术

第18章 光电子器件工艺技术

第19章 微机电系统

第20章 集成电路制造

附录A 缩写与通用符号

附录B 部分半导体材料的性质

附录C 物理常数

附录D 单位转换因子

附录E 误差函数的一些性质

附录F F数