杨之廉、许军编著的《集成电路导论（第2版）》介绍了半导体基本特性与PN结，晶体管工作原理，集成电路中的器件结构，集成电路芯片制造技术的基本概念和步骤；重点讨论了数字电路中的基本门电路、存储器类集成电路、微处理器，以及模拟集成电路中的基本单元、集成运算放大器、数据转换器；同时介绍了专用集成电路和可编程集成电路；讨论了芯片的设计流程和设计工具，以及集成电路的测试与封装。

杨之廉、许军编著的《集成电路导论（第2版）》在简述集成电路的诞生、发展和未来后，首先介绍了半导体基本特性与PN结，晶体管工作原理，集成电路中的器件结构，集成电路芯片制造技术的基本概念和步骤；然后重点讨论了数字电路中的基本门电路、存储器类集成电路、微处理器，以及模拟集成电路中的基本单元、集成运算放大器、数据转换器；同时介绍了专用集成电路和可编程集成电路；最后讨论了芯片的设计流程和设计工具，以及集成电路的测试与封装。

《集成电路导论（第2版）》说理清楚，内容深入浅出，与实际联系紧密，易于自学。可作为大专院校微电子学和半导体专业学生的概论课教材，也可作为各类理工科专业和部分文商科专业本科生的普及性教材，还可作为各类高级技术和管理人士学习集成电路知识的入门参考书。

第1章 绪言

 1.1 什么是半导体器件

 1.2 什么是集成电路和微电子学

 1.3 集成电路的诞生

 1.4 集成电路的发展

1.4.1 应用的驱动

1.4.2 集成度的提高

1.4.3 摩尔定律

1.4.4 专用集成电路和专用的标准产品

1.4.5 集成电路分类

 1.5 集成电路的未来

 1.6 微电子技术与其他学科相结合

第2章 半导体基本特性与PN结

 2.1 半导体的特性

 2.2 量子力学简介

2.2.1 能级与能带

2.2.2 电子与空穴

2.2.3 N型半导体和P型半导体

 2.3 PN结

2.3.1 平衡状态下的PN结

2.3.2 正向状态下的PN结

2.3.3 反向状态下的PN结

2.3.4 PN结电容（空间电荷区电容）

 2.4 欧姆接触

第3章 晶体管工作原理

 3.1 二极管

3.1.1 二极管的电流与电压特性

3.1.2 二极管工作时管内少数载流子的分布情况

3.1.3 扩散电容

 3.2 双极型晶体管

3.2.1 双极型晶体管的基本结构

3.2.2 共基极接地方式

3.2.3 共发射极接地方式

3.2.4 三极管的简化大信号模型

3.2.5 三极管的小信号放大效应

 3.3 金属—氧化物—半导体场效应晶体管

3.3.1 MOS场效应晶体管的基本结构

3.3.2 反型层的形成与阈值电压

3.3.3 MOS管中的电流与电压关系

3.3.4 衬底偏置调制效应

3.3.5 MOS管的简单模型

3.3.6 MOS管的几种类型

3.3.7 MOS管的放大效应

第4章 集成电路中的器件结构

 4.1 电学隔离的必要性和方法

 4.2 二极管的结构

 4.3 双极型晶体管的结构

 4.4 MOS场效应晶体管的结构

4.4.1 场氧化层的作用

4.4.2 CMOS电路的结构

 4.5 电阻的结构

 4.6 电容的结构

 4.7 接触孔、通孔和互连线

第5章 集成电路芯片制造技术

 5.1 工艺制造中的核心步骤

 5.2 窗口、图形的确定与掩模版的作用

 5.3 各主要工艺技术

5.3.1 热氧化工艺

5.3.2 热扩散掺杂工艺

5.3.3 快速热处理

5.3.4 离子注入

5.3.5 化学气相淀积

5.3.6 光刻

5.3.7 刻蚀

5.3.8 选择性氧化

5.3.9 金属化

 5.4 CMOS电路制造的主要工艺流程

 5.5 缺陷与成品率

第6章 数字电路中的基本门电路

 6.1 数字信号的特性

 6.2 电路的主要性能

 6.3 双极型晶体管的开关特性

 6.4 饱和型与非饱和型双极型数字集成电路

 6.5 晶体管—晶体管逻辑（TTL）门

6.5.1 TTL与非门

6.5.2 TTL或非门

6.5.3 TTL与或非门

 6.6 肖特基晶体管—晶体管逻辑（STTL）门

 6.7 发射极耦合逻辑（ECL）门

6.7.1 双极型差分放大电路

6.7.2 ECL或非门

 6.8 NMOS门电路

6.8.1 NMOS反相器

6.8.2 NMOS与非门

6.8.3 NMOS或非门

6.8.4 NMOS通导管

6.8.5 NMOS触发器

 6.9 CMOS门电路

6.9.1 CMOS反相器

6.9.2 CMOS与非门

6.9.3 CMOS或非门

6.9.4 CMOS与或非门及或与非门

6.9.5 CMOS三态反相门

6.9.6 CMOS多路开关

6.9.7 CMOS传输门

6.9.8 CMOS异或门

6.9.9 CMOS RS触发器

6.9.10 CMOS D型锁存器

 6.10 双极型电路与MOS电路的比较

 6.11 BiCMOS电路

第7章 存储器类集成电路

 7.1 存储器的功能和分类

 7.2 存储器的容量

 7.3 存储器的结构

 7.4 只读存储器

7.4.1 只读存储器的存储单元

7.4.2 行译码器和缓冲器

7.4.3 列译码器和列选择器

7.4.4 读取时间

 7.5 不挥发性读写存储器

7.5.1 可擦除型可编程读写存储器（EPROM）

7.5.2 电可擦除型可编程读写存储器（EEPROM或E2PROM）

7.5.3 闪烁型电可擦除可编程读写存储器（Flash EEPROM）

 7.6 随机存取存储器

7.6.1 静态随机存取存储器（SRAM）

7.6.2 动态随机存取存储器（DRAM）

第8章 微处理器

 8.1 微处理器的定义

 8.2 微型计算机与微处理器

8.2.1 微型计算机的硬件框架

8.2.2 微型计算机的机器指令

8.2.3 微型计算机中的信息流

 8.3 微处理器的工作原理

8.3.1 微处理器的硬件结构

8.3.2 微处理器指令的类型、格式和长度

8.3.3 微处理器指令的执行过程

 8.4 微处理器中的各个模块

8.4.1 算术逻辑单元的加法器

8.4.2 寄存器、寄存器堆和移位寄存器

 8.5 微控制器

第9章 模拟集成电路中的基本单元

 9.1 模拟信号的特性

 9.2 模拟集成电路的特点

 9.3 差分放大器

 9.4 恒流源和恒压源

 9.5 模拟集成电路中的无源元件

第10章 集成运算放大器

 10.1 集成运算放大器的功能和结构

 10.2 集成运算放大器的主要电学参数

 10.3 集成运算放大器的输入级

 10.4 集成运算放大器的输出级

 10.5 双极型集成运算放大器

 10.6 MOS型集成运算放大器

第11章 数据转换器

 11.1 数据转换器在信号系统中的作用

 11.2 D／A转换器的基本原理

 11.3 D／A转换器的基本类型

11.3.1 电流加权型D／A转换器

11.3.2 电容加权型D／A转换器

11.3.3 电压加权型D／A转换器

11.3.4 D／A转换器的主要性能指标

 11.4 A／D转换器的基本原理

 11.5 A／D转换器的基本类型

11.5.1 单积分型A／D转换器

11.5.2 逐次逼近型A／D转换器

11.5.3 流水线型A／D转换器

11.5.4 快闪型A／D转换器

11.5.5 ∑△型A／D转换器

第12章 专用集成电路和可编程集成电路

 12.1 专用集成电路的作用与特点

 12.2 门阵列集成电路

12.2.1 有通道门阵列

12.2.2 无通道门阵列（门海）

 12.3 标准单元集成电路

 12.4 多设计项目硅圆片方法

 12.5 可编程逻辑器件

 12.6 逻辑单元阵列

 12.7 门阵列、标准单元IC与可编程集成电路的比较

第13章 设计流程和设计工具

 13.1 设计要求

 13.2 层次化设计方法

 13.3 数字电路设计流程

13.3.1 全定制设计流程

13.3.2 定制和半定制电路的设计流程

 13.4 版图设计规则

 13.5 设计系统简介

 13.6 常用的设计工具

 13.7 数字电路设计实例——交通路口信号灯控制器

 13.8 模拟集成电路设计流程

第14章 集成电路的测试与封装

 14.1 集成电路测试

14.1.1 设计错误测试

14.1.2 功能测试

 14.2 故障模型

 14.3 故障模拟与分析

 14.4 可测性设计

 14.5 集成电路的可靠性

 14.6 典型的测试和检查过程

 14.7 封装的作用

 14.8 封装类型和封装技术

 14.9 SiP封装

 14.10 封装时的热设计

 14.11 如何选择封装形式

中外文参考书

参考文献