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书名 | 抗辐射集成电路设计理论与方法 |
分类 | 科学技术-自然科学-物理 |
作者 | 高武 |
出版社 | 清华大学出版社 |
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介绍 |
内容推荐 本书首先介绍辐射环境、辐射相互作用物理过程及若干种辐射效应; 接下来,本书详细介绍集成电路抗辐射加固设计方法学,包括单粒子闩锁加固策略及测试、辐射加固器件的SPICE模型、抗辐射单元库设计、自动综合的抗辐射数字电路设计、模拟和混合信号电路加固设计等; 很后,本书介绍集成电路辐射效应仿真、单粒子效应的脉冲激光测试原理和辐射加固保障测试。本书可作为微电子和核科学等领域相关教师、研究生和工程人员在学术研究和工程技术方面的参考书。 目录 章辐射环境介绍 1.1空间辐射环境 1.1.1背景知识 1.1.2髙能离子 1.1.3俘获电子 1.1.4俘获质子 1.1.5太阳宇宙射线 1.1.6银河宇宙射线 1.2高能物理辐射环境 1.3核辐射环境 1.3.1核爆炸辐射环境 1.3.2核反应堆辐射环境 1.4地面辐射环境 1.4.1大气辐射环境 1.4.2地辐射环境 1.5本章小结 参考文献 第2章辐射相互作用物理过程 2.1半导体材料中辐射的相互作用 2.1.1简介 2.1.2电磁相互作用 2.1.3强子的相互作用 2.1.4弱相互作用 2.1.5相互作用的过程 2.2辐射输运 2.2.1玻尔兹曼传输方程 2.2.2计箅技术 2.2.3辐射输运仿真工具介绍 …… |
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