本书主要分析数字电路。首先讨论MOS数字电路分析与设计，重点为CMOS电路，它是构成最流行数字电路的基础；然后依次介绍基本的数字逻辑门电路、移位寄存器、触发器和基本的A/D与D/A转换电路；最后介绍双极性数字电路，包括射极耦合逻辑电路和传统的晶体管逻辑电路。
本书特色
内容丰富，视野开阔，知识面广，涵盖高等院校模拟电子技术课程大部分教学要求，可作为电子技术基础教材和参考书。
各章结构合理、层次清楚、思路清晰、叙述详细、文字流畅。每章节讲解结束均附有例题及其讲解和讨论，能够让读者对本章内容理解更加透彻。
结合实际电路设计，理论讲解与PSpice仿真分析结合，非常适用于工程师和电路设计人员。

第1章 数字电子学导论
1.1 预览
1.2 逻辑函数和逻辑门
1.3 逻辑电平
1.4 噪声容限
1.5 传输延迟时间和开关时间
1.6 小结
第2章 MOSFET数字电路
2.1 NMOS反相器
2.1.1 N沟道MOSFET回顾
2.1.2 NMOS反相器的传输特性
2.1.3 衬底的基体效应
2.2 NMOS逻辑电路
2.2.1 NMOS或非门和与非门
2.2.2 NMOS逻辑电路
2.2.3 扇出系数
2.3 CMOS反相器
2.3.1 P沟道MOSFET回顾
2.3.2 CMOS反相器的直流分析
2.3.3 功耗
2.3.4 噪声容限
2.4 CMOS逻辑电路
2.4.1 基本CMOS或非门和与非门
2.4.2 晶体管尺寸
2.4.3 复杂CMOS逻辑电路
2.4.4 扇出系数和传输延迟时间
2.5 带时钟的CMOS逻辑电路
2.6 传输门
2.6.1 NMOS传输门
2.6.2 NMOS传输网络
2.6.3 CMOS传输门
2.6.4 CMOS传输网络
2.7 时序逻辑电路
2.7.1 动态移位寄存器
2.7.2 R-S触发器
2.7.3 D触发器
2.7.4 CMOS全加器电路
2.8 存储器的分类与电路结构
2.8.1 存储器的分类
2.8.2 存储器结构
2.8.3 地址译码器
2.9 RAM存储器单元
2.9.1 NMOS SRAM单元
2.9.2 CMOS SRAM单元
2.9.3 SRAM读/写电路
2.9.4 动态RAM（DRAM）存储单元
2.10 只读存储器
2.10.1 ROM和PROM单元
2.10.2 EPROM和EEPROM单元
2.11 数据转换器
2.11.1 A/D和D/A的基本概念
2.11.2 数-模转换器
2.11.3 模-数转换器
2.12 设计应用：一个静态CMOS逻辑门
2.13 本章小结
习题
第3章 双极型数字电路
3.1 发射极耦合逻辑（ECL）
3.1.1 差分放大电路回顾
3.1.2 ECL逻辑门
3.1.3 ECL逻辑电路的特性
3.1.4 电压传输特性
3.2 改进型ECL电路
3.2.1 低功耗ECL电路
3.2.2 其他ECL门电路
3.2.3 串联门
3.2.4 传输延迟时间
3.3 晶体管-晶体管逻辑电路
3.3.1 基本二极管-三极管逻辑门
3.3.2 TTL的输入晶体管
3.3.3 基本TTL与非电路
3.3.4 TTL输出级和扇出系数
3.3.5 三态输出
3.4 肖特基晶体管-晶体管逻辑电路
3.4.1 肖特基钳位晶体管
3.4.2 肖特基TTL与非电路
3.4.3 低功耗肖特基TTL电路
3.4.4 改进型肖特基TTL电路
3.5 BiCMOS数字电路
3.5.1 BiCMOS反相器
3.5.2 BiCMOS逻辑电路
3.6 设计应用：静态ECL门电路
3.7 本章小结
习题
附录A 物理常数与转换因子
附录B 制造商数据手册节选
附录C 标准电阻和电容值
C.1 碳膜电阻
C.2 精密电阻（容差为1%）
C.3 电容
附录D 参考文献